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成功案例

适用于工业自动化的ASi-5 ASSP

2019 年 11 月 20 日,日本东京讯 ― 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布,推出业界首款全面实现工业网络设备 ASi-5(执行器-传感器接口规范V5)标准的芯片解决方案——ASI4U-V5 ASSP。与ASi-3相比,ASi-5具备更卓越的性能与可用性,可提供低至1.27ms周期时长、线缆长度达200米,并支持每网段96台从设备。已经过现场验证的ASSP为开发人员使用传感器、执行器以及需要简单且经济高效现场总线连接的其它工业设备,提供了易于使用的现场总线集成选项。全新ASI4U-V5 ASSP的固件经过充分验证和现场检验,可减小ASi-5部署的复杂性,从而最大程度降低设计风险。ASSP符合ASi-5标准,完全后向兼容ASi-3,同时包含较短的周期时间、基于正交频分复用(OFDM)所实现的更高带宽、增强的诊断功能和先进的鲁棒性等特性。ASSP支持所有总线拓扑结构,包括线形、星形和树形。同时,ASSP还具备与其它工业协议(例如IO-Link和HART)简便且经济高效的集成优势。瑞萨电子工业自动化业务部高级总监Niels Trapp表示:“随着数字化转型浪潮席卷整个工厂和生产设备,ASi-5接口构成了数百万联网工业端点与设备的数字化枢纽。事实证明,瑞萨与其ASi-5开发合作伙伴的紧密合作取得了巨大成功,我们很荣幸将首款ASi-5芯片解决方案推向市场,实现更快传输、更大数据量及更高效集成的智能传感器,成为工业物联网的重要组成部分。”全新ASSP将于2019年11月26日至28日纽伦堡SPS2019(2019智能制造解决方案展),瑞萨展台(10.1展馆,110号展台)首次亮相。瑞萨ASI4U-V5 ASSP的关键特性:集成多达96个设备,周期时长低至1.2ms,抖动小于10ns(ASi-3周期时长为5ms)每个传输通道支持最长200米线缆和最多16位数据宽度面向工业4.0应用的诊断与事件处理后向兼容ASi-3优异的抗电磁干扰性能经过全面验证和现场检验的固件,无需对芯片进行进一步编程,实现更轻松的集成。全新ASi-5 ASSP扩展了瑞萨电子强大的工业网络产品组合,包括RZ/N和R-IN32M系列网络处理器、TPS-1以及IDT采用ASi-3的ASI4U与SAP5产品。供货信息现已提供全功能ASi-5 ASSP样片,并计划于2020年3月量产。

长鑫存储集成电路项目已签约

9月23日讯,世界制造业大会上,长鑫存储引人注目。总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在合肥签约,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元。 长鑫存储技术有限公司是中国第一家投入量产的DRAM芯片设计制造一体化企业,长鑫晶圆项目由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资,长鑫存储负责管理和运营,是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。芯片被誉为“现代工业粮食”。长鑫存储是中国第一家投入量产的动态随机存取存储芯片(DRAM)设计制造一体化企业,其“亮剑”芯片之巅对于推动中国在这一高端芯片产业上逐步实现独立自主,带动上下游产业链的国产化,具有重要的现实意义和深远的历史意义。 据合肥市市长凌云介绍,合肥长鑫集成电路制造基地项目位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成,主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套,提供生活服务设施,致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。“长鑫存储填补了国内DRAM的空白,有望突破韩国、美国企业在国际市场的垄断地位。 ”合肥市半导体行业协会常务副理事长陶鸿说,长鑫存储会在中国半导体历史上留下浓墨重彩的一笔。缺“屏”少“芯”,曾是中国制造的发展之痛。为解决这一发展之痛,合肥精准发力,近年来紧抓集成电路产业战略发展机遇,着力打造“中国IC之都”。6年前,合肥市开始谋划推动DRAM生产线建设。 2017年3月,长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目正式开工建设,短短9个月,一座规模宏大的现代化厂房屹立在合肥空港经济开发区,其中主厂房规模居世界同类生产厂房前列。 “长鑫速度”代表的不仅仅是“产投速度”,也从一个侧面体现着“合肥速度”。

业界首款4Mbit EEPROM存储芯片

业界首款4Mbit EEPROM,采用低成本的小型8引脚封装数据存储容量提升让智能设备功能更多,精度更高意法半导体是世界最大的串行EEPROM存储器厂商,串行EEPROM存储器应用广泛中国 / 21 Nov 2019横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出了新一代存储器芯片,集前所未有的存储容量与读写速度和可靠性于一身,新产品让我们每天使用的产品设备能够做更多的事情,让我们的生活和工作更丰富。 意法半导体的新的存储器容量4Mbit的 EEPROM可让小型设备捕获更多的数据,通过串行SPI总线保存在存储器内。有了这款存储器,智能表记计等仪表设备能够提高数据记录量,从而更有效地管理能源网络,提供更人性化的计费方式;便携式医疗设备可以更密集地记录患者数据,提高医疗护理质量;智能穿戴设备等消费类产品可以支持更多的用户功能和更高的精度;在这些应用中,存储器的低功耗特性还有助于延长电池的续航时间。高容量存储器还可以给网络交换机等各种工业控制和通信基础设施应用带来好处。 意法半导体存储器事业部总经理Benoit Rodrigues表示:“ ST是世界公认的最大的串行EEPROM芯片厂商,串行存储器广泛用于消费、工业和汽车相关设备系统,我们将继续推动技术创新。市场上首款4Mbit EEPROM器件是采用我们自己的CMOS技术生产,该技术目前是业内最先进的110nm EEPROM制程。” 意法半导体的M95M04 EEPROM存储器兼备前所未有的存储容量与出色的能效,适用于精打细算的预算紧张的应用项目,扩大了意法半导体以高度可靠、持久耐用的10亿次全内存读写周期享誉市场的存储器产品家族。新产品能够在5ms内写入512字节,可实现低延迟的快速的系统操作。样品现已开放申请。 详细技术信息M95M04 EEPROM具有高容量非易失性存储功能,可用于存放需要持久保存的数据,例如,应用程序代码、精度校准表和用户参数,以及密集型数据记录。 市场上存储容量最高的EEPROM存储器,采用小型8引脚SO8N和TSSOP8封装,成本效益高于竞品,例如,集成微控制器和闪存的EEPROM仿真存储器、铁电FRAM和磁阻MRAM。与CMOS EEPROM相比,这些存储器的功耗高,电源电压范围窄。 M95M04 EEPROM的优点包括1.8V至5.5V的宽电源电压和 40年的数据保存期限,除SO8N和TSSOP8封装外,还提供最先进的8焊球WLCSP芯片级封装。

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