【技术开发单位】电子科技集团公司第四十三研究所
　　
　　【技术简介】陶瓷覆铜基板利用铜的含氧共晶体直接将铜覆接在陶瓷上，其基本原理是覆接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065 ℃～1083 ℃范围内（低于铜的熔点1083 ℃），铜与氧形成铜—氧共晶体，该共晶体一方面与陶瓷发生化学反应生成尖晶石的物质，另外一方面浸润铜箔和陶瓷实现了陶瓷与铜箔的结合。先对铜片进行退火处理，然后把铜片与瓷片相结合在一起，通过烧结得到大面积的基板，接着在一个大面积的基板上布置多个单元阵列，再通过蚀刻得到目标图形，最后通过划片得到一个小单元。
　　
　　【技术特点】
　　（1）可得到任意图形，能满足不同客户的需求；
　　（2）可提高生产效率，达到产业化目的，能满足日益增长的需求；
　　（3）后段工艺技术借鉴成熟的PCB生产工艺技术，技术成熟度高。
　　
　　【技术水平】通过“八五”、“九五”的技术研究，在1998年开始建设陶瓷覆铜板生产线，1999年开始向市场提供产品，经过20多年建设，不断拓展生产线，到目前已经形成了年生产能力200万cm2生产规模，具有中小批量生产技术和能力，并长期供货于我所军用器件及多家功率器件厂，达到商业化程度。
　　（1）氧化铝DBC产品具体技术指标如下：
　　导热率：≥20W/m·K
　　线间距： ≤1 mm
　　剥离强度：≥ 5 Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　　（2）氮化铝DBC产品具体技术指标如下：
　　导热率：≥170W/m·K
　　线间距： ≤1 mm
　　剥离强度：≥ 5Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　　
　　【可应用领域和范围】DBC基板具有热导率高、载流能力强，附着力强、易得到各种图形，是功率器件的标准电路板，被广泛应用于LED、太阳能电池组件、动力牵引（高铁、动车、城铁等）、电力电子、航天航空、半导体致冷器、电子加热器等各种领域。
　　
　　【专利状态】共获得2项发明专利。
　　
　　【技术状态】小批量生产阶段
　　
　　【合作方式】股权投资
　　
　　【投入需求】投资1000万元，建立一条具有年产8120万cm2能力的DBC生产线
　　
　　【预期效益】投资1000万的规模，建立一条具有年产8120万cm2能力的DBC生产线，预计达产后销售收入可达到1.5亿，利润达到3000万以上。
　　DBC基板技术军转民的实现，将推进我国IGBT器件的产业快速健康持续发展，打破国外对高导热率的氮化铝DBC基板的技术垄断，有力推进我国智能电网、新能源发展、高铁等行业的发展，为建设资源节约型和环境友好型社会奠定坚实基础。

　　【联系方式】程琨  0551-5743753