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半导体器件失效分析
半导体器件失效分析样品的制备方法,其特征在于,包括：提供一半导体器件样品以及一用于承载所述半导体器件样品的载体；在所述载体上形成用于容纳所述半导体器件样品的承载槽,所述承载槽的深度大于所述半导体器件样品的厚度；在所述承载槽周围的载体上形成至少一条连通所述承载槽的导流沟槽；在所述承载槽中放入固态的导电粘合剂,并采用导电金属在所述载体以及所述导电粘合剂的表面上形成一层加强导电层,所述加强导电层位于除所述导流沟槽表面之外的所有载体表面以及承载槽中的导电粘合剂的表面上；将所述半导体器件样品放入所述承载槽中,对所述载体进行加热或紫外光照射,使得所述导电粘合剂融化而变为流体,并压合所述半导体器件样品直至所述半导体器件样品的上表面低于所述承载槽外围的所述加强导电层的上表面,且所述半导体器件样品底部的所述加强导电层与所述导电粘合剂混合,多余的导电粘合剂流入所述导流沟槽,直至导电粘合剂恢复固态并将所述承载槽与所述半导体器件样品粘接在一起；先研磨去除高于所述半导体器件样品的上表面的部分,再对所述半导体器件样品的上表面连同周围的所述载体一起进行研磨,以获得失效分析样品。
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